Напівпровідниковий стабілітрон

15 жовтня 2020р.

Предмет: Радіоелектроніка та основи телебачення.

Тема уроку: Напівпровідниковий стабілітрон.

       Зворотне вмикання n-p-переходу застосовується  при побудові стабілітронів, робота яких ґрунтується на стабілізуючих властивостях явища електричного пробою. Для виготовлення стабілітронів використовують силіцій, що має вищу температурну стабільність, ніж германій. Завдяки внутрішній електростатичній емісії під дією сильного електростатичного поля, створеного зворотною напругою, виникає електричний пробій напівпровідника, наслідком якого є зворотний струм, практично незалежний від подальшої зміни напруги. Цей електричний пробій оборотний, тобто він не супроводжується руйнуванням n-p-переходу.

Суть електричного пробою полягає в тому, що, рухаючись з великою швидкістю, електрони при зіткненні з нейтральними атомами в зоні n-p-переходу іонізують їх, створюючи нові вільні електрони і дірки. Цей процес має лавиноподібний характер, що зумовлює значне зростання струму. Електричний пробій у стабілітронах відбувається при низьких зворотних напругах; тому потужність, яка виділяється в п -р-переході, мала і теплового пробою немає.

Схему вмикання і ВАХ стабілітрона зображено на рис. 1, а та 6 відповідно.

 

Рис1.

 

Завдання: Розрахувати значення R0 при Uвх  9в, Uн 5в, Rн  500 Ом, підібрати марку VD та потужність R0.

Розрахунки та їх результати надіслати на електронну пошту: honor7valera@gmail.com

Матеріал для самостійного вивчення: підручник Анисимов Н.В. «Елементи електронної апаратури та їх застосування».Напівпровідникові діоди та стабілітрони.