Правила складання та читання схем

 

23 грудня 2020р.

Предмет: Технологія обслуговування та ремонту РТА.

Урок 45: Правила складання та читання схем.

Читання і складання схем.

Принципові електричні схеми використовуються професіоналами при монтажі та ремонті електронного обладнання. Спочатку на схемі визначається система електроживлення, обмоток, реле, електромагнітів, регуляторів. Для кожного джерела живлення визначається вид струму, напруга, фази в колах змінного струму і полярність – постійного. Ознайомлення з системою електроживлення допомагає визначити порядок роботи. При складанні принципових електричних схем слід враховувати наступні фактори:

·                    всі елементи електричного пристрою показуються окремо і розміщуються в різних місцях схеми в залежності від порядку виконуваних дій;

·                    на електросхемі показуються всі електричні зв’язки елементів, що входять в неї;

·                    релейно-контактні схеми складають з урахуванням мінімального навантаження контактів реле;

·                    при створенні схеми слід використовувати мінімально можливу кількість елементів, тим самим підвищуючи надійність обладнання;

·                    слід використовувати засоби електричного захисту і блокування, які допоможуть уникнути аварійних ситуацій;

·                    в складних схемах доцільно використовувати сигнальні системи;

·                    для зручності монтажу всі затискачі елементів і проводи на схемі маркуються.

Коливальні контури

 

22 грудня 2020р.

Предмет: Радіоелектроніка та основи телебачення.

Урок 27: Параметри коливального контура. Частотна характеристика.

             Коливальні конту­ри- це каскадно з’єднані реактивні елементи різного виду. В них забезпечуються класичні умови виникнення власних коливань, а саме: перетворення енергії одного виду на інший при мінімальних необорот­них втратах енергії за період. В електричному колі — це обмін енергією між конденсатором (енергія електричного поля) і котушкою індуктивності (енергія магнітного поля).

Оптоелектронні прилади

 

21 грудня 2020р.

Предмет: Радіоелектроніка та основи телебачення.

Урок 26: Оптоелектронні прилади.

Оптоелектронні пристрої, в яких є джерело та приймач випромінювання з тим або іншим видом оптичного та електричного зв’язку між ними, конструктивно пов’язані один з одним, називаються оптронами.

Принцип дії оптронів оснований на подвійному перетворенні енергії. У випромінювачі енергія електричного сигналу перетворюється в світлову, а в фотоприймачі оптичний сигнал викликає зміну струму, напруги або опору.

Наявність оптичного зв’язку між джерелом та приймачем випромінювання забезпечує ряд принципових переваг оптронів: дуже високу електричну ізоляцію входу та виходу; односпрямованість передачі інформації; відсутність зворотної реакції фотоприймача на випромінювач та взаємних дій; широку полосу пропускання; несприйняття оптичного каналу до впливу електромагнітних полей. Крім того, ці прилади дозволяють реалізувати безконтактне управління електронними об’єктами, розробити функціональні мікроелектронні пристрої з фотоприймачами, характеристики яких під дією оптичного випромінювання змінюються за якзавгодно складним заданим законом, створити різноманітні давачі та пристрої для передачі інформації шляхом впливу на матеріал оптичного каналу.

Технічна документація

 

9 грудня 2020р.

Предмет: Технологія обслуговування та ремонту РТА

Урок 41 :  Види технічної документації. Схемна документація. Види схем та їх характеристика.
        До технічної документації відноситься: конструкторська, технологічна, програмна та схемна документації. Схемна документація містить різноманітні технічні схеми.

Для побудови, аналізу й унаочнення радіоелектронних пристроїв користуються різноманітними схемами, найпоширенішими з яких є структурні, функціональні, принципові (повні), монтажні (схеми з'єднань).

Мікроелектроніка

 

9 грудня 2020р.

Предмет: Технологія обслуговування та ремонту РТА

Урок 40 : Перспективи розвитку мікроелектроніки.

     Мікроелектроніка знаходиться в стадії інтенсивного розвитку; для неї характерна поява нових областей і створення нових напрямів у вже існуючих областях.Одна з основних проблем, що стоять перед мікроелектронікою, пов'язана з вимогою збільшення кількості оброблюваної інформації обчислювальними і керуючими електронними системами з одночасним зменьшенням їх габаритів і споживаної енергії.

Технологія виготовлення мікросхем

 

8 грудня 2020р.

Предмет: Технологія обслуговування та ремонту РТА

Урок 39 : Загальний огляд технологій виготовлення плівкових, напівпровідникових та МДН-мікросхем.

         Технологія виготовлення плівкових, напівпровідникових мікросхем була розглянута в попередньому уроці. Зараз розглянемо особливості побудови МДН-мікросхем. Структури метал – діелектрик – напівпровідник, що використовуються як елементи МДН-мікросхем, можуть виконувати функції підсилення, генерації й перетворення електричних сигналів, тобто такі самі функції, які виконують біполярні транзистори. Поряд із цим МДН-структури можна ви- користовувати як конденсатори й резистори, номінальне значення яких змінюється в деяких межах при зміщенні прикладеного потенціалу до керувального електрода. Крім того, МДН-структури можуть виконувати функції елементів пам’яті.

Мікросхеми

 

7 грудня 2020р.

Предмет: Радіоелектроніка та основи телебачення. 

Урок 25: Інтегральні мікросхеми (ІМС) – загальна характеристика, види, принцип побудови і застосування.

         Матеріал теми урока був розглянутий на уроці №38 від 24.11.2020 з предмета "Технологія обслуговування та ремонту РТА". Шановні здобувачі освіти, повторіть тему урока та виконайте контрольне завдання.

Контрольне завдання: Розглянути та написати технологію перевірки аналогових мікросхем-підсилювачів звукової частоти в практичних схемах. Відповіді відправляйте на електронну пошту: honor7valera@gmail.com

 

Окремі види напівпровідникових приладів

 

7 грудня 2020р.

Предмет: Радіоелектроніка та основи телебачення.

Урок 24: Окремі види напівпровідникових приладів.

Найважливішими властивостями й ознаками напівпровідників є залежність їхніх властивостей від зовнішніх умов: температури, освітленості, тиску, електричних та магнітних полів тощо. Ці властивості використовують при побудові з напівпровідникових матеріалів різноманітних параметричних елементів радіоелектронних кіл. Прикладами таких елементів є напівпровідникові резистори, що мають нелінійні ВАХ і провідність, залежну від температури, освітлення, напруги. Такі резистори знаходять широке застосування в електронній автоматиці.